जैसा कि हम सभी जानते हैं, वैक्यूम वाष्पीकरण और आयन स्पटरिंग का उपयोग आमतौर पर वैक्यूम कोटिंग में किया जाता है।वाष्पीकरण कोटिंग और स्पटरिंग कोटिंग के बीच क्या अंतर है?इसके बाद, आरएसएम के तकनीकी विशेषज्ञ हमारे साथ साझा करेंगे।
वैक्यूम वाष्पीकरण कोटिंग 10-2Pa से कम नहीं की वैक्यूम डिग्री वाले वातावरण में प्रतिरोध हीटिंग या इलेक्ट्रॉन बीम और लेजर बमबारी के माध्यम से वाष्पित होने वाली सामग्री को एक निश्चित तापमान तक गर्म करना है, ताकि अणुओं की थर्मल कंपन ऊर्जा या सामग्री में परमाणु सतह की बंधन ऊर्जा से अधिक होते हैं, जिससे बड़ी संख्या में अणु या परमाणु वाष्पित हो जाते हैं या उर्ध्वपातित हो जाते हैं, और एक फिल्म बनाने के लिए सीधे सब्सट्रेट पर अवक्षेपित हो जाते हैं।आयन स्पटरिंग कोटिंग कैथोड के रूप में लक्ष्य पर बमबारी करने के लिए विद्युत क्षेत्र की कार्रवाई के तहत गैस डिस्चार्ज द्वारा उत्पन्न सकारात्मक आयनों की उच्च गति की गति का उपयोग करती है, ताकि लक्ष्य में परमाणु या अणु बच जाएं और प्लेटेड वर्कपीस की सतह पर अवक्षेपित हो जाएं। आवश्यक फिल्म.
वैक्यूम वाष्पीकरण कोटिंग की सबसे अधिक इस्तेमाल की जाने वाली विधि प्रतिरोध हीटिंग है, जिसमें सरल संरचना, कम लागत और सुविधाजनक संचालन के फायदे हैं;नुकसान यह है कि यह दुर्दम्य धातुओं और उच्च तापमान प्रतिरोधी ढांकता हुआ सामग्री के लिए उपयुक्त नहीं है।इलेक्ट्रॉन बीम हीटिंग और लेजर हीटिंग प्रतिरोध हीटिंग की कमियों को दूर कर सकते हैं।इलेक्ट्रॉन बीम हीटिंग में, केंद्रित इलेक्ट्रॉन बीम का उपयोग बमबारी वाली सामग्री को सीधे गर्म करने के लिए किया जाता है, और इलेक्ट्रॉन बीम की गतिज ऊर्जा ऊष्मा ऊर्जा बन जाती है, जो सामग्री को वाष्पित कर देती है।लेजर हीटिंग हीटिंग स्रोत के रूप में उच्च-शक्ति लेजर का उपयोग करता है, लेकिन उच्च-शक्ति लेजर की उच्च लागत के कारण, इसका उपयोग वर्तमान में केवल कुछ अनुसंधान प्रयोगशालाओं में ही किया जा सकता है।
स्पटरिंग तकनीक वैक्यूम वाष्पीकरण तकनीक से भिन्न है।"स्पटरिंग" उस घटना को संदर्भित करता है जिसमें आवेशित कण ठोस सतह (लक्ष्य) पर बमबारी करते हैं और ठोस परमाणुओं या अणुओं को सतह से बाहर निकाल देते हैं।उत्सर्जित होने वाले अधिकांश कण परमाणु अवस्था में होते हैं, जिन्हें प्रायः थूकित परमाणु कहा जाता है।लक्ष्य पर बमबारी करने के लिए उपयोग किए जाने वाले थूके हुए कण इलेक्ट्रॉन, आयन या तटस्थ कण हो सकते हैं।क्योंकि आवश्यक गतिज ऊर्जा प्राप्त करने के लिए आयनों को विद्युत क्षेत्र के तहत त्वरित करना आसान होता है, उनमें से अधिकांश आयनों को बमबारी वाले कणों के रूप में उपयोग करते हैं।स्पटरिंग प्रक्रिया ग्लो डिस्चार्ज पर आधारित है, यानी स्पटरिंग आयन गैस डिस्चार्ज से आते हैं।विभिन्न स्पटरिंग प्रौद्योगिकियां अलग-अलग ग्लो डिस्चार्ज मोड अपनाती हैं।डीसी डायोड स्पटरिंग डीसी ग्लो डिस्चार्ज का उपयोग करता है;ट्रायोड स्पटरिंग गर्म कैथोड द्वारा समर्थित एक चमक निर्वहन है;आरएफ स्पटरिंग आरएफ चमक निर्वहन का उपयोग करता है;मैग्नेट्रॉन स्पटरिंग एक ग्लो डिस्चार्ज है जो एक कुंडलाकार चुंबकीय क्षेत्र द्वारा नियंत्रित होता है।
वैक्यूम वाष्पीकरण कोटिंग की तुलना में, स्पटरिंग कोटिंग के कई फायदे हैं।उदाहरण के लिए, किसी भी पदार्थ को थूका जा सकता है, विशेषकर उच्च गलनांक और कम वाष्प दबाव वाले तत्व और यौगिक;थूकी हुई फिल्म और सब्सट्रेट के बीच आसंजन अच्छा है;उच्च फिल्म घनत्व;फिल्म की मोटाई को नियंत्रित किया जा सकता है और पुनरावृत्ति अच्छी है।नुकसान यह है कि उपकरण जटिल है और इसके लिए उच्च-वोल्टेज उपकरणों की आवश्यकता होती है।
इसके अलावा, वाष्पीकरण विधि और स्पटरिंग विधि का संयोजन आयन चढ़ाना है।इस विधि का लाभ यह है कि प्राप्त फिल्म में सब्सट्रेट के साथ मजबूत आसंजन, उच्च जमाव दर और उच्च फिल्म घनत्व होता है।
पोस्ट करने का समय: जुलाई-20-2022